سامسونگ و تولید انبوه اولین حافظه های DDR3 در کلاس 20 نانومتر در جهان

سامسونگ و تولید انبوه اولین حافظه های DDR3 در کلاس 20 نانومتر در جهان
  • 1390/7/3
  • عليرضا شیری
  • 0

کمپانی مشهور سامسونگ الکترونیک، پیشرو در زمینه ی تولید حافظه در جهان، قصد تولید حافظه های DDR3 در کلاس 20 نانومتر را دارد. این کمپانی از آغاز به کار کردن خط فرآیند 20 نانومتری نیمه هادیها خبر داد، خط تولید بزرگی که در واقع بزرگترین ظرفیت تولید حافظه در جهان است. خبر دیگر شروع به کار کردن خط تولید حافظه های Double Data Rate 3 یا DDR3 بر اساس فرآیند 20 نانومتری است. این حافظه ها مصرف انرژی کمتری نسبت به فرآیندهای ضخیم تر دارند و کارایی بیشتری نیز خواهند داشت. این خط تولید در شهر Hwaseong واقع شده است، جایی که خبر افتتاح خط تولید در آن اعلام شده است.

مدیریت کمپانی سامسونگ Kun-hee  ، در این باره می گوید:

تمام صنعت نیمه هادیها در رقابتی بسیار فشرده و متناوب است، بنابراین تولید انبوده اولین حافظه های DRAM با کلاس 20 نانومتر بسیار مهم است و تاکیدی است بر پیشرو بودن کمپانی بزرگ سامسونگ در این صنعت.

با شروع تولید این نوع حافظه ها 12 تریلیون کره سود نصیب این کمپانی میشود و سامسونگ قصد حفظ مقام اول در صنعت تولید حافظه ها و نیمه هادی ها را دارد.

سامسونگ از می 2010 شروع به ساخت این مجموعه کرده و اکنون در می 2011 نصب تجهیزات آن را به پایان رسانده است. مرحله ی تولید آزمایشی در ماه ژوئن شروع شد و خط تولید در ماه آگوست برای تولید انبوه حاضر شد.

مجموعه ی Line-16 با 12 طبقه و مجموع مساحتی برابر با 198000 متر مربع، بزرگترین و پیشرفته ترین کارخانه ی تولید حافظه در جهان است. از ماه جاری خط تولید شروع به کار کرده و چیپ های فلش از نوع NAND تولید میکند، برنامه ریزی سامسونگ برای تولید 10000 ویفر 12 اینچی در ماه است.

سامسونگ میخواهد تولید حافظه های فلش از نوع Nand را افزایش داده تا نیاز بازار را تامین کند. در سال آتی نیز تولید نیمه هادیهای پیشرفته تر با چگالی و کارایی بالاتر را شروع خواهد کرد که البته با کلاس 10 نانومتر خواهد بود!

حافظه های 20 نانومتری از نوع DDR3 نسبت به آنچه سامسونگ در سال اخیر در کلاس 30 نانومتر عرضه کرده بود، بهینه تر هستند. این نوع جدید حافظه ظرفیت تولید را بالاتر میبرد و در واقع 50 درصد بهتر است. مقدار انرژی مصرفی حافظه های جدید نیز 4 درصد کمتر از نوع 30 نانومتری است.

طبق برنامه ی سامسونگ، تولید حافظه های DDR3 در ظرفیت 4 گیگابایت نیز در اواخر سال 2011 یعنی حدود 3 ماه دیگر شروع میشود. در سال آتی نیز ظرفیت حافظه های DDR3 بیشتر شده و در حجم های 8 و 16 و 32 گیگابایت تولید خواهند شد!

منابع:

techpowerup

electronista

xbitlabs

insidehw

دیدگاه خود را وارد کنید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *